Приглашаем посетить сайт
ПЕЛЬТЬЕ ЭФФЕКТ
ПЕЛЬТЬЕ ЭФФЕКТ - выделение или поглощениетепла на контакте двух разнородных проводников в зависимости от направленияэлектрич. тока, текущего через контакт. Открыт Ж. Пельтье (J. Peltier)в 1834. Мощность тепловыделения Q= П 12j, где j - плотность тока, П 12 = П 1 - П 2 (П 1,П 2 - абс. коэф. Пельтье контактирующих материалов, являющихсяхарактеристиками этих материалов). Причина возникновения П. э. заключаетсяв том, что ср. энергия носителей заряда (для определённости электронов),участвующих в электропроводности, в разл. проводниках различна, т. к. зависитот их энергетич. спектра, концентрации и механизма рассеяния (см. Рассеяниеносителей заряда). При переходе из одного проводника в другой электронылибо передают избыточную энергию решётке, либо пополняют недостаток энергииза её счёт (в зависимости от направления тока). В первом случае вблизиконтакта выделяется, а во втором - поглощается т. н. теплота Пельтье. Напр.,на контакте полупроводник - металл (рис.) энергия электронов, переходящихиз полупроводника n -типа в металл (левый контакт), значительно превышаетэнергию Ферми Поэтому они нарушают тепловое равновесие в металле. Равновесие восстанавливаетсяв результате столкновений, при к-рых электроны термализуются, отдавая избыточнуюэнергию кристаллич. решётке. В полупроводник из металла (правый контакт)могут перейти только самые энергичные электроны, вследствие этого электронныйгаз в металле охлаждается. На восстановление равновесного распределениярасходуется энергия колебаний решётки.
Эффект Пельтье на контактах полупроводник n -типа -металл;- уровень Ферми;- дно зоны проводимости полупроводника:- потолок валентной зоны.
На контакте двух полупроводников или двухметаллов также выделяется (или поглощается) теплота Пельтье, вследствиетого, что ср. энергия участвующих в токе носителей заряда по обе стороныконтакта различна.
Выражение для абс. коэф. Пельтье П (носителизаряда - электроны) имеет вид
где .- кинетич. энергия и скорость электронов, f1- неравновеснаячасть ф-ции распределения электронов,- плотность состояний. Как видно из (1), коэф. П представляет собойотклонение ср. энергии носителей в потоке от энергии Ферми отнесённое к единице заряда. Для определения П необходимо знать ф-цию и найти т. е. решить кинетич. ур-ние. В случае параболич. закона дисперсии электроновпроводимости ( р)(р- квазиимпульс) и степенной зависимости длины свободного пробега . от энергии при отсутствии вырождения в полупроводнике коэф. П определяетсяф-лой
Здесь - параметр рассеяния, Т - абс. темп-pa (см. Рассеяние носителейзаряда в твёрдом теле);отсчитывается от дна зоны проводимости.
Как видно из (2), еП но абс. величинеможет достигать десятков kT. С увеличением концентрации электроновв вырожденном проводнике или уменьшением Т величина П уменьшаетсяи при
Коэф. Пельтье связан с коэф. термоэдс т. <н. соотношением Томсона:
Это позволяет использовать для оценки Презультаты микроскопич. теории для Коэф. Пельтье, являющийся важной техн. характеристикой материалов, какправило, не измеряется, а вычисляется по измерение к-рого более просто.
П. э. используется в термоэлектрич. холодильникахи термостатах, а также для управления процессом кристаллизации за счётвыделения или поглощения тепла на границе жидкой и твёрдой фаз при пропусканииэлектрич. тока.
Лит.: Ансельм А. И., Введение втеорию полупроводников, 2 изд., М., 1978; Аскеров Б. М., Электронные явленияпереноса в полупроводниках, М., 1985; Зеегер К., Физика полупроводников, <пер. с англ.. М., 1977; Стильбанс Л. С., Физика полупроводников, М., 1967.
3. М. Дашевский.