есть сумма сопротивления 
, обусловленного рассеянием электронов проводимости на тепловых колебаниях решётки (фононах), и сопротивления 
связанного с присутствием в металле примесных атомов и др. дефектов кристаллич. решётки: 
Приглашаем посетить сайт
МАТТИССЕНА ПРАВИЛО
МАТТИССЕНА ПРАВИЛО [установлено Л. Маттиссе-ном (L. Matthiessen) в 1864] - эмпирич. правило, к-рое состоит в том, что общее сопротивление кристаллич. металлнч. образца есть сумма сопротивления , обусловленного рассеянием электронов проводимости на тепловых колебаниях решётки (фононах), и сопротивления связанного с присутствием в металле примесных атомов и др. дефектов кристаллич. решётки:
Величина 
обращается в 0 при T =0 К, r0 определяет т. н. остаточное сопротивление металла при T = 0 К. Сопротивление,r0 представляет собой столь чувствит. характеристику совершенства образца, что чистоту металла определяют величиной 
Для чистых Cu и Al достигается 
, однако для нек-рых металлов 
. Согласно Блоха- Грюнайзена формуле, рассеяние электронов на фононах приводит к зависимости 
при 
и 
при 
где 
- Дебая температура. Однако при низких темп-pax наблюдается более сложная зависимость.
Напр., для 
при 
К, для К 
при 
для 
при 
для 
при 
, для Cu и Au
при 
К.
M. п. справедливо, если процессы решёточного и примесного рассеяний независимы и изотопны. В действительности необходимо учитывать корреляцию между ними. Значит, отклонение от M. п. связано с зависимостью 
в области низких темп-р. Такие отклонения происходят по неск. причинам: 1) примесь вносит локальное искажение решётки, что приводит к неупругому рассеянию электронов на квазилокальных и локальных колебаниях решётки; 2) примесь часто влияет на упругие константы, соответственно меняется и колебат. спектр решётки; 3) примесь действует на зонную структуру, сдвигая уровень Ферми, изменяя плотность состояний и эффективную массу носителей заряда; 4) нек-рые дефекты, напр, дислокации, рассеивают анизотропно; 5) неупругость столкновений электронов особенно существенна в металлах с разбавленными магн. примесями, т. к. обусловливает Кондо аффект. Это приводит к минимуму в зависимости 
при низких темп-рах.
Лит.: Лифшиц И. M., Азбель M. Я., Каганов M. И., Электронная теория металлов, M., 1971; Блатт Ф., Физика электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ., M., 1971; Dugdale J. S., The electrical properties of metal and alloys, L., 1977; Kaveh M., Wiser N., Electron-electron scattering in conducting materials, "Adv. Phys.", 1984, v. 33, p. 257; Wiser N., The electrical resistivity of the simple metals, "Contemp. Phys.", 1984, v. 25, p. 211. H. А. Бабушкина.