Приглашаем посетить сайт

Физическая энциклопедия. В 5-ти томах
Статьи на букву "З" (часть 1, "ЗАГ"-"ЗВЕ")

Статьи на букву "З" (часть 1, "ЗАГ"-"ЗВЕ")

ЗАГЛУШЁННАЯ КАМЕРА

ЗАГЛУШЁННАЯ КАМЕРА - специально оборудованное помещение для акустич. измерений в условиях, приближающихся к условиям свободного открытого пространства (в свободном звуковом поле). Стены, пол и потолок 3. к. покрываются звукопоглощающими материалами, обеспечивающими практически полное отсутствие отражённых звуковых волн. В совр. 3. к. заглушающая отделка состоит из клиньев лёгкого пористого материала (стекловолокна), располагаемых основаниями к стенам. В 3. к. большого размера удаётся получить поглощение до 99% по энергии в диапазоне частот от 50-70 Гц до самых высоких слышимых частот. В 3. к. с размерами 4-5 м нижняя граница рабочих частот обычно составляет 100-120 Гц. Отсутствие заметных отражений в 3. к. сводит до минимума наличие интерференции и стоячих волн, что позволяет приблизиться к идеальной форме звуковой волны - чисто бегущей плоской или сферической. Это даёт возможность проводить в 3. к. следующие акустич. исследования: градуировку измерит. микрофонов в свободном поле; испытания громкоговорителей на отдачу и по направленности излучения, т. е. измерения развиваемогогромкоговорителем звукового давления, мощности направленности; исследования шума машин, трансформаторов и др. объектов; определение порога слышимости и др. характеристик слуха человека. При всех этих исследованиях кроме хорошего приближения к условиям чисто бегущей звуковой волны существенна и хорошая звукоизоляция и виброизоляция от внеш. звуковых полей. <Контроль акустич. качеств 3. к. производится, напр., непосредств. измерением отношения звукового давления отражённой волны к звуковому давлению прямой волны, идущей от источника звука: в хорошей 3. к. это отношение не должно превышать 20 дБ. Другим, более удобным и общепринятым способом оценки качества 3. к. является изучение закона спадания звукового давления по мере удаления от источника. Этот способ основан на теоретич. зависимости, справедливой для точечного источника звука, согласно к-рой звуковое давление в свободном поле убывает обратно пропорц. расстоянию между источником и приёмником. Отклонения обычно не превышают 1 дБ. Размеры камеры должны допускать расположение приёмника и источника звука на достаточно большом расстоянии, для того чтобы приёмник находился в зоне практически плоских волн. При нарушении этого условия между звуковым давлением и колебат. скоростью в точке приёма будет существовать фазовый сдвиг, зависящий от частоты. Условие для допустимого расстояния d обычно выражается ф-лой: d/120/f (d в м, f - частота в Гц). В нек-рых акустич. 3. к. испытывают приборы, предназначенные для излучения и приёма эл.-магн. волн дециметрового диапазона. Чтобы создать свободные эл.-магн. поля, добиваются полного поглощения эл.-магн. волн в отделке камеры. Это достигается, напр., пропиткой клиньев из стекловолокна графитным порошком или подмешиванием в стекловолокно стальных тонких стружек. Лит.: Колесников А. Е., Акустические измерения, Л., 1983.

ЗАГОРИЗОНТНОЕ РАСПРОСТРАНЕНИЕ РАДИОВОЛН

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАЖИГАНИЯ КРИТЕРИЙ

ЗАЖИГАНИЯ КРИТЕРИЙ - самоподдерживающейся термоядерной реакции - условие поддержания плазмы при темп-ре горения термоядерных реакций (Т/8кэВ или /108 К) за счёт энергии остающихся в плазме продуктов термоядерных реакций. В DT-реакции на поддержание темп-ры плазмы расходуется энергия ядер 4 Не (a-частиц, Ea =3,52 МэВ) при их кулоновском торможении в плазме. В дейтериевой плазме на поддержание реакции расходуется энергия тритонов, протонов и ядер 3 Не, к-рая в среднем на каждую реакцию составляет ~2,42 МэВ. <В стационарном режиме горения DT-реакции все потери из плазмы с избытком компенсируются мощностью, выделяющейся в термоядерных реакциях в виде a-частиц, к-рые удерживаются в плазме и передают ей свою энергию. <Для равнокомпонентной DT-плазмы с максвелловским распределением частиц по скоростям 3. к. самоподдерживающейся термоядерной реакции можно записать в виде: где п е - плотность электронов (в см -3), Т - темп-ра плазмы (в кэВ),- время удержания энергии в плазмебез учёта потерь на тормозное излучение (в секундах); <sv> я - усреднённая по максвелловскому распределению скорость термоядерной реакции (в см3.с -1). Второй член в знаменателе характеризует потери энергии DT-плазмы на тормозное излучение. Величина наз. параметром удержания энергии в плазме и принимает мин. значение 1,6 .1014 см -3.с при T~25 кэВ. Графич. представление ( Т )см. в ст. Управляемый термоядерный синтез. Термоядерный реактор с горением самоподдерживающейся реакции является частным случаем реактора, работающего в режиме усилителя мощности (с коэф. усиления Q), для к-рого определяется Лоусона критерием. В предельном случае Q ": при выполнении 3. к. реактор, работающий в режиме усилителя мощности, превращается в генератор, т. е. в реактор с зажиганием самоподдерживающейся термоядерной реакции. Лит.: П и с т у н о в и ч В. И., Некоторые задачи токамака с инжекцией быстрых нейтралов, "Физика плазмы". 1976. т. 2, в. 1, с. 3; Jassbу П. L., Neutral-beam-driven tokamak fusion reactors, "Nucl. Fusion", 1977, v. 17, p. 309. В. И. Пистунович.

ЗАЖИГАНИЯ ПОТЕНЦИАЛ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАМАГНИЧЕННАЯ ПЛАЗМА

ЗАМАГНИЧЕННАЯ ПЛАЗМА - плазма, находящаяся в магн. поле напряжённостью Н в таких условиях, что ларморовская частота вращения wH заряж. частиц в этом поле wH=ZeH/Mc )существенно превышает характерную частоту соударений tei-1 между односортными и разносортными частицами (электронами и ионами): wHtei>>1 (здесь Z - атомный номер, М - масса частицы, tei - время между двумя последоват. столкновениями). Такие условия могут осуществляться в сильных магн. полях или в очень разреженной плазме. В 3. п. ларморовский радиус значительно меньше длины свободного пробега. Это означает, что смещение частицы в результате столкновения оказывается только порядка циклотронного радиуса. Поэтому в 3. п. существенно уменьшаются ламинарные коэф. переноса вещества, энергии и импульса в направлении, перпендикулярном магн. полю. Напр., в случае простой конфигурации магн. поля поперечный коэф. диффузии уменьшается по сравнению с продольным в (w Неtei)2 раз; электронные и ионные потоки тепла вдоль поперечных градиентов темп-ры падают соответственно в (w Неtee)2 и (wHitii)2 раз. В сложных равновесных конфигурациях плазмы в магн. поле, где сильно меняются траектории частиц, уменьшение коэф. переноса нельзя описать такой простой ф-лой вследствие того, что смещение частиц между соударениями может происходить на величину, существенно превышающую её ларморовский радиус.3. п. и плазма, вмороженная в магн. полe,- не одно и то же. Различие между 3. п. и вмороженностью магнитного поля в плазму заключается в том, что не при всех движениях 3. п. возникают токи (напр., именно так происходит диффузионный перенос плазмы поперёк Н), а также в 3. п. существует широкий класс низкочастотных квазипотенциальных движений (rotE@0, Е - электрич. поле), для к-рых магн. поле не возмущается, и, следовательно, не вморожено в среду. В этих случаях следует отказаться от простой записи закона Ома в виде j=s(E+1/c[vH])и пользоваться ур-ниями двухжидкостной гидродинамики плазмы. Лит. см. при ст. Плазма. С. С. Моисеев.

ЗАМЕДЛЕНИЕ НЕЙТРОНОВ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАМЕДЛЯЮЩАЯ СИСТЕМА

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАМИРАНИЕ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАМКНУТАЯ СИСТЕМА

ЗАМКНУТАЯ СИСТЕМА - то же, что изолированная система.

"ЗАМОРАЖИВАНИЕ" ОРБИТАЛЬНЫХ МОМЕНТОВ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАПАЗДЫВАНИЕ ТЕКУЧЕСТИ

ЗАПАЗДЫВАНИЕ ТЕКУЧЕСТИ (задержка текучести) - явление, к-рое характеризуется тем, что при мгновенном (очень быстром) приложении напряжения, превышающего предел текучести при статич. (очень медленном) нагружении, пластич. деформация возникает не тотчас, а по истечении нек-рого промежутка времени - т. н. 3. т. Если напряжение снято до истечения периода 3. т., остаточных деформаций не возникает, т. е. в течение периода 3. т. материал деформируется упруго. Чем больше приложенное напряжение, тем меньше период 3. т. Значение периода 3. т. изменяется от неск. мс при напряжении порядка (и выше) статич. передела прочности до неск. мин при напряжениях порядка статич. предела текучести. Явление 3. т. чётко выражено в материалах, у к-рых на диаграмме растяжения есть площадка текучести (см. Предел текучести). Изучение 3. т. важно для оценки прочности конструкции при воздействии динамич. нагрузок (ударов, взрывов И Т. П.). В. С. Ленский.

ЗАПАЗДЫВАЮЩЕЕ ДЕЛЕНИЕ ЯДРА

. Для тяжёлых ядер, далёких от линий b-стабильности, энергия бетараспада может стать столь большой, что возбуждённое дочернее ядро делится. Возбуждённое дочернее ядро в этом случае является спонтанно делящимся изомером ( см. Деление ядер). Период полураспада 3. д. я. совпадает с периодом b-распада. 3. д. я. открыто в 1965 Г. Н. Флёровым с сотрудниками (Дубна) и названо по аналогии с испусканием запаздывающих нейтронов из осколков деления. Оно обнаружено как для нейтронно-дефицитных ядер -228Np ( Т 1/2=1мин), 232 Аm ( Т 1/2= 1,4 мин), 234 Аm (T1/2 = 2,6 мин), так и нейтронно-иэбыточных ядер- 236 Ра (T1/2 = 9,1 мин), 238 Ра ( Т 1/2=2,3 мин). Сечение 3. д. я., образующихся в реакциях с тяжёлыми ионами, оказалось небольшим(~10-34 см 2), т. е. вероятность 3. д. я. мала (~10-9-10-10). Г. А. Пик-Пичак.

ЗАПАЗДЫВАЮЩИЕ ПОТЕНЦИАЛЫ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАПАС ПРОЧНОСТИ

ЗАПАС ПРОЧНОСТИ - в сопротивлении материалов- характеристика состояния сооружения или его элемента в отношении сопротивления их разрушению. Численное значение 3. п. определяется коэф. 3. п. В зависимости от метода расчёта различают след. коэф. 3. п. Коэф. 3. п. п о напряжению - отношение допустимого напряжения (предела прочности, предела текучести, предела выносливости при переменных нагрузках) к наиб. напряжению при заданном типе нагрузок. Выбор в качестве предельного напряжения предела прочности или текучести материала зависит от его свойств - от хрупкостиили пластичности, от типа напряжённого состояния и характера нагружения детали. Соответственно получают коэф. 3. п. по проделу прочности или по пределу текучести. Коэф. 3. п. по предельным нагрузкам - отношение предельной нагрузки, при к-рой несущая способность детали (или сооружения) исчерпывается, к расчётной нагрузке. Коэф. 3. п. по предельным нагрузкам точнее отражает действит. состояние сооружения, однако его определение более трудоёмко. Коэф. 3. п. по предельной деформации - отношение нагрузки, вызывающей в конструкции в целом или в к.-л. её элементе максимально допустимую характерную деформацию (прогиб, изменение расстояния между узлами и др.), к расчётной нагрузке. <Безопасность работы конструкции обеспечивается выбором надлежащего коэф. 3. п. При этом учитываются механич. свойства материала, вероятность возникновения случайных перегрузок, степень достоверности расчёта и исходной информации, возможность непредвиденных дефектов (усадочные раковины, выбоины и др.). Выбор значения коэф. 3. п. учитывает необходимость экономии материала и в ряде случаев связан с проблемой создания конструкции мин. веса (напр., космич. аппаратов, самолётов). Величина коэф. 3. п. колеблется в зависимости от перечисленных факторов от 1,3 до 6 и выше. Наим. значения принимаются для деталей, изготовляемых из высококачеств. материалов при высоком уровне технологии и необходимости снижения веса, а также в объектах разового кратковрем. назначения, наибольшие - в конструкциях долговрем. использования, особенно при динамич. нагрузках.

ЗАПАС УСТОЙЧИВОСТИ

ЗАПАС УСТОЙЧИВОСТИ - характеристика, определяющая степень удалённости величины действующих на конструкцию нагрузок от их предельных, критических, значений, при к-рых происходит потеря устойчивости и несущая способность конструкции исчерпывается (см. Устойчивость упругих систем). Численное значение 3. у. выражается отношением критич. нагрузки к фактически действующей на конструкцию и наз. коэф. 3. у. Выбор надлежащего коэф. 3. у. затруднён тем, что невозможно точно учесть ряд факторов, влияющих на величину критич. нагрузок. Напр., для наиболее полно изученного случая - потери устойчивости продольно сжатым стержнем-такими факторами являются нецентральность приложения нагрузки, нач. кривизна стержня и неоднородность материала. При расчёте реальных условий работы конструкции влияние дополнит. факторов компенсируют выбором поправочного коэф., учитывающего вероятность наличия дефектов. Поэтому коэф. 3. у. следует брать в виде произведения основного выбранного коэф. 3. у. и поправочного.

ЗАПОМИНАЮЩАЯ ТРУБКА

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА

, см. Памяти устройства.

ЗАПОМИНАЮЩИЕ ГОЛОГРАФИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАПОРНЫЙ СЛОЙ

ЗАПОРНЫЙ СЛОЙ (обеднённый слой) - слой полупроводника с пониженной концентрацией осн. носителей заряда. Образуется около контакта с металлом, гетероперехода, моноперехода ( р - п-перехода),свободной поверхности. Из-за ухода осн. носителей в 3. с. возникает заряд, противоположный им по знаку. Он скомпенсирован зарядом в металле, др. полупроводнике, в области с др. типом проводимости, на свободной поверхности (см. Контактные явлении в полупроводниках). Приложение прямого смещения обогащает 3. с. носителями, уменьшает в нём поле и сужает слой; обратное смещение ещё сильнее обедняет 3. с. носителями, увеличивает поле и расширяет его. 3. с. с полностью ионизированными примесными атомами наз. слоем Шоттки. 3. с.-основной рабочий элемент полупроводникового диода, транзистора, варикапа и др. полупроводниковых приборов.

ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАПРЕЩЕННЫЕ ЛИНИИ

ЗАПРЕЩЕННЫЕ ЛИНИИ - в спектроскопии - спектральные линии, соответствующие квантовым переходам, запрещённым отбора правилами. Обычно запрещёнными наз. линии, для к-рых не выполняются правила отбора для дипольного излучения, напр., линии, соответствующие переходам, разрешённым для квадрупольного или магн. излучения. Такие 3. л. связаны с переходами между уровнями энергии одинаковой чётности, запрещёнными для дипольного излучения. Вероятности запрещённых переходов (по сравнению с вероятностями разрешённых дипольных переходов) малы, но не равны нулю, и в благоприятных условиях интенсивность 3. л. может быть значительной. <Интенсивные 3. л. наблюдаются в спектрах туманностей и солнечной короны, а также в спектрах полярных сияний. Эти линии долгое время не удавалось отнести ни к каким атомным спектрам, и их приписывали гипотетич. элементам: линии в спектрах планетарных (газовых) туманностей-"небулию", а линии в спектре солнечной короны - "коронию". В 1920- 30-х гг. было показано, что все ранее неотождествлённые интенсивные линии туманностей и солнечной короны являются 3. л. Эти 3. л. наблюдаются благодаря разреженности газа в космич. условиях, т. к. за время жизни возбуждённого состояния (значительное вследствие малой вероятности запрещённых переходов) возбуждённые атомы не успевают столкнуться с др. частицами и передать им энергию и, переходя на более низкие уровни, испускают фотоны. Интенсивные 3. л. в спектрах туманностей принадлежат ионизованным атомам кислорода (О 2+ и О + ) и азота (N+), a 3. л. в спектрах солнечной короны - очень сильно ионизованным атомам железа (Fe13+ , Fe12+, F|е 10+ и Fе 9+) и никеля (Ni14+ , Ni12+ и Ni11+ ). Все эти линии соответствуют переходам между уровнями одинаковой чётности, принадлежащим внеш. электронным оболочкам типа 2р 2, 2р 3 (для ионов кислорода и азота) и типа Зр, Зр 2, Зр 4 и Зр 5 (для ионов железа и никеля). В частности, самая интенсивная зелёная линия "корония" соответствует квантовому переходу Зр 2 Р 3/2 -Зр 2 Р 1/2 в 13-кратно ионизованном атоме железа (Fe13+ ).Исследование интенсивностей запрещённой линии лежит в основе определения темп-р планетарных туманностей. Лит.: Ельяшевич М. А., Атомная и молекулярная спектроскопия, М., 1962; В а й н ш т е й н Л. А., С о б е л ь м а н И. И., Ю к о в Е. А., Возбуждение атомов и уширение спектральных линий, М., 1979. М. А. Ельяшевич.

ЗАРЯД

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАРЯДА СОХРАНЕНИЯ ЗАКОН

ЗАРЯДА СОХРАНЕНИЯ ЗАКОН (закон сохранения электрического заряда) - закон, согласно к-рому алгебраич. сумма электрич. зарядов всех частиц изолированной системы не меняется при происходящих в ней процессах. Электрич. заряд любой частицы или системы частиц является целым кратным элементарному электрическому заряду е (равному по величине заряду электрона) или нулевым. (Исключение составляют дробно заряженные кварки и т. н. Х-, Y-бозоны, к-рые, по-видимому, не могут существовать в свободном состоянии.) 3. с. з. означает абс. стабильность легчайшей заряж. частицы - электрона. Из Максвелла уравнений следует локальная формулировка 3. с. з.: дr/дt+divj=0, где r - плотность заряда, j - плотность тока (непрерывности уравнение). Отсюда следует, что изменение электрич. заряда в любой замкнутой области пространства должно компенсироваться электрич. током через поверхность этой области. Квантовая электродинамика связывает 3. с. з. с инвариантностью этой теории относительно локальных калибровочных преобразований. При этом из строгого 3. с. з. следует нулевая масса покоя фотона. <Эксперим. проверка 3. с. з. основывается на проверке стабильности электрона и нулевой массы покоя фотона. Анализ возможных явлений атм. электричества, к-рые могли бы возникнуть в результате распадов электронов в атмосфере, даёт для нижней границы времени жизни электрона > 1021 лет. Существование крупномасштабного магн. поля в дисковой составляющей Галактики приводит к самому сильному ограничению сверху на допустимую величину массы фотона х 10-27 эВ. Это ограничение делает весьма проблематичным построение физ. теории, допускающей нарушение закона сохранения электрич. заряда. Подтверждением 3. с. з. служит также строгое равенство (по абс. величине) электрич. зарядов электрона и протона. Изучение движения атомов (молекул) и микроскопия, тел в электрич. полях подтверждает электронейтральность вещества и, соответственно, равенство зарядов электрона и протона (и электронейтральность нейтрона) с точностью 10 -21. Лит.: Бернстейн Дж., Элементарные частицы и их токи, пер. с англ., М., 1970; D у 1 1 а Н. F., King J. G,, Neutrality of molecules by a new method, "Phys. Rev.", 1973, v. A 7, p. 1224; Окунь Л. Б., Лептоны и кварки, М., 1981. М. Ю. Хлопов.

ЗАРЯДОВАЯ ЧЁТНОСТЬ

ЗАРЯДОВАЯ ЧЁТНОСТЬ (С-чётность) (С) - одна из внутр. характеристик (квантовых чисел) истинно нейтральной частицы (или истинно нейтральной системы частиц), определяющая поведение её вектора состояния при зарядовом сопряжении. Является мультипликативным квантовым числом и может принимать значения С=b1. В любых процессах, обусловленных эл.-магнитным или сильным взаимодействием, 3. ч. сохраняется.3. ч. фотона отрицательна: С = -1 (это видно из того, что при зарядовом сопряжении электрич. заряды, а следовательно, и эл.-магн. поля, квантами к-рых являются фотоны, меняют знак). Т. к. p0 -мезон распадается на два g-кванта, его 3. ч. С=+1. При распаде p0 -мезона образуются p+- и p- -мезоны в состоянии с орбит. моментом l=1. Это означает, что С- чётность p0 -мезона равна -1. Виртуальный фотон может превращаться в J/y-частицу. Следовательно, С-чётность J/y-частицы должна быть такой же, как у фотона, т. е. равной -1. Аналогично установлено, <что 3. ч. h0-,w-,j-мезонов равны соответственно +1, - 1, -1. (При этом предполагается, что взаимодействия, обусловливающие распады соответствующих частиц, инвариантны относительно зарядового сопряжения.)Частицы, образующиеся при распаде истинно нейтральной частицы, должны находиться в состоянии с той же С-чётностью, что и С-чётность нач. частицы. Поэтому, напр., распады p0 "3g и h0 "3g запрещены. <Классич. примером истинно нейтральной системы является позитроний - связанное состояние электрона и позитрона. 3. ч. позитрония равна: С = (-1)l+s (*) где s - полный спин. (По ф-ле (*) определяется также 3. ч. истинно нейтральных мезонов, построенных из кварка, и соответствующего антикварка.) Т. о., 3. ч. парапозитрония (l=0, s=0) и ортопозитрония (l = 0, s=l) равны соответственно +1 и -1. Из С-инвариантности эл.-магн. взаимодействия следует, что парапозитроний может распадаться на чётное число g-квантов (в осн. на 2g, т. к. константа эл.-магн. взаимодействия мала: a~1/137), а ортопозитроний - на нечётное (в осн. на Зg). См. Позитроний. Лит.: Ахиезер А. И., Берестецкий В. Б., Квантовая электродинамика, 4 изд., М., 1981.С. М. Биленький.

ЗАРЯДОВОЕ СОПРЯЖЕНИЕ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАРЯЖЕННЫЙ ТОК

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ ДВИЖЕНИЕ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАТРАВОЧНАЯ МАССА

ЗАТРАВОЧНАЯ МАССА - в квантовой теории поля - параметр, характеризующий связь между импульсом и скоростью частицы без учёта её самодействия. В физ. процессах 3. м. появляется только в сумме с добавками, обусловленными взаимодействием с собств. полем, а также поляризацией вакуума. Эта сумма образует физическую (наблюдаемую) массу частицы. А. В. Ефремов.

ЗАТРАВОЧНЫЙ ЗАРЯД

ЗАТРАВОЧНЫЙ ЗАРЯД (затравочная константа взаимодействия) в квантовой теории поля - параметр, характеризующий взаимодействие частиц (полей) без учёта перенормировок. В физ. процессах 3. з. появляется только в сумме с добавками - радиационными поправками, обусловленными поляризацией вакуума. Эта сумма образует физический (наблюдаемый) заряд. А. В. Ефремов.

ЗАТУХАНИЕ ЗВУКА

ЗАТУХАНИЕ ЗВУКА - уменьшение интенсивности звуковой волны (для гармонич. волны - уменьшение амплитуды) по мере её распространения. 3. з. обусловлено рядом причин, основными из к-рых являются т. н. расхождение волны, рассеяние и поглощение звука. Затухание вследствие расхождения волны связано с тем, что на больших расстояниях r от источника поток излучаемой звуковой энергии по мере распространения распределяется на всё увеличивающуюся площадь волновой поверхности и, соответственно, уменьшается поток энергии, приходящийся на единицу поверхности, т. е. интенсивность звука. В сферич. волне интенсивность убывает с расстоянием пропорционально r-2, в цилиндрической - ~r-1.Рассеяние звука на препятствиях в среде, на её неоднородностях, размеры к-рых малы или сравнимы с длиной волны, приводит к уменьшению потока энергии в первонач. направлении распространения звука. Характерными рассеивателями в газах являются жидкие капли (туман) или частицы твёрдых веществ (аэрозоли), в жидкости - пузырьки воздуха, в твёрдых телах - разл. инородные включения или отдельные кристаллиты в поликристаллах. Рассеяние на неровныхи неоднородных границах среды приводит к уменьшению интенсивности при отражении звука и прохождении его через границу, т. е. к изменению коэф. отражения и прохождения волны, определяемого согласно законам геометрической акустики. Подробнее см. в ст. Рассеяние звука. Поглощение звука - необратимый переход звуковой энергии в другие виды энергии (преим. в теплоту) - может быть обусловлено разл. механизмами. Большую роль играют вязкость и теплопроводность среды, а на высоких частотах и при низких темп-pax - разл. процессы взаимодействия звуковых волн с внутр. возбуждениями в твёрдом теле (фононами, электронами проводимости, спиновыми волнами и др.). Подробнее см. в ст. Поглощение звука. При 3. з., обусловленном рассеянием и поглощением, интенсивность звука убывает с расстоянием по экспоненциальному закону е-2dr, где d - коэф. затухания (амплитуда гармонич. волны - по закону е-dr), вотличие от степенного закона убывания интенсивности при расхождении волны. Коэф. 3. з. d выражается в единицах м -1 (см -1) или в логарифмич. единицах Нп/м, дБ/м. И. <П. Голямина.

ЗАТУХАНИЕ КОЛЕБАНИЙ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАТУХАНИЕ КОНТУРА

ЗАТУХАНИЕ КОНТУРА - величина, определяющая скорость убывания амплитуд собств. колебании в электрич. контуре и вместе с тем характеризующая его резонансные свойства при вынужденных колебаниях. Амплитуда собств. колебаний в контуре убывает вследствие рассеяния энергии. Если обозначить WK всю энергию колебаний в контуре, а W П - часть её, составляющую потери за один период колебаний, то при WK>>W П 3. к. равно d=W П/2pWK. В электрич. контуре, состоящем из сосредоточенной индуктивности L,ёмкости С и сопротивления R,3. к. (при том же ограничении) равно:3. к. является величиной, обратной добротности, и определяет ширину резонансной кривой; в случае вынужденных колебаний 3. к. пропорционально декременту затуханияd: d=d/p.

ЗАТУХАНИЕ СВОБОДНОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАТЯГИВАНИЕ ЧАСТОТЫ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА

ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА - в полупроводниках - переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный уровень; см. Зонная теория). Скорость r э 3. н. з. из зоны проводимости пропорциональна концентрации п носителей в зоне, концентрации Nt примесных уровней и вероятности того, что данный уровень с энергией Et не заполнен: r э = a эnNt [1-f(Et)]. Здесь f(Et) - вероятность заполнения данного уровня, a э - коэф. захвата, связанный с эффективным сечением захвата S соотношением: a э = SvT, где vT - ср. скорость теплового движения носителей заряда. <Наряду с процессом 3. н. з. происходит обратный процесс - их выброс с примесных уровней в зону. Скорость этого процесса равна: g э =b эNt f (Et). Согласно детального равновесия принципу, в состоянии термодинамич. равновесия g э=r э, откуда b э=a эn1. где n1=(g0/gl)Ncexp(-I/kT), g0, gl- статистич. веса соответственно пустого и заполненного уровней, Nc - эффективная плотность состояний в зоне проводимости, I - энергия ионизации примесного уровня. Суммарная скорость захвата электронов равна: R э = r э-g э =a эNt[ п(1-f)-n1 f]. Аналогичные ф-лы имеют место для захвата дырок, характеризуемого соответствующими величинами r д, a д, g д, R д.3. н. з. может явиться первым этапом процесса рекомбинации носителей заряда через примесные центры: захват электрона из зоны проводимости и последующий захват дырки на тот же уровень (либо наоборот). Если для данного уровня a э>>a д, то электрон, захваченный на этот уровень, прежде чем рекомбинировать с дыркой, может быть много раз выброшен обратно в зону проводимости и захвачен снова. Такие примесные уровни наз. уровнями прилипания или ловушками для электронов; при a д>>a э имеем уровни прилипания для дырок. Уровни, для к-рых a э~a д, наз. уровнями рекомбинации. При захвате обоих носителей заряда на уровни прилипания с низким темпом выброса (малые b э и b д) неравновесное состояние может сохраняться очень долго, особенно при низких темп-рах. Лит.: Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, М., 1977; Аут И., Г е н ц о в Д., Герман К., Фотоэлектрические явления, пер. с нем., М., 1980. Э. М. Эпштейн.

ЗАХВАТЫВАНИЕ ЧАСТОТЫ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗВЁЗДНАЯ ДИНАМИКА

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗВЕЗДНЫЕ АТМОСФЕРЫ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗВЁЗДНЫЕ ВЕЛИЧИНЫ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗВЕЗДНЫЕ СКОПЛЕНИЯ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЗВЁЗДНЫЙ ВЕТЕР

Статья большая, находится на отдельной странице.