Приглашаем посетить сайт
Статьи на букву "П" (часть 5, "ПОТ"-"ПРО")
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПОТЕНЦИАЛЬНОЕ РАССЕЯНИЕ - частиц - рассеяние частиц, в процессе к-рого не возникает промежуточной стадии образования компаунд-системы (рассеивающий центр + частица) с последующим её распадом. В отличие от резонансного рассеяния характеризуется плавной зависимостью его сечения от энергии частиц. См. Рассеяние микрочастиц, Рассеяние нейтронов. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПОТЕНЦИАЛЬНЫЕ СИЛЫ - поле сил заданное в области Q конфигурационного пространства как градиент скалярной ф-ции: где (обобщённые) координаты, U(q)- потенциальная энергия. Работа П. с. по любому замкнутому контуру в Q, стягиваемому в точку, равна нулю. Признаком потенциальности сил является обращение в нуль их ротора, rot = 0. В. П. Павлов. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПОТОК ИЗЛУЧЕНИЯ - отношение энергии, переносимой эл.-магн. излучением через к.-л. поверхность, ко времени переноса, значительно превышающему период эл.-магн. колебаний. П. и.- синоним понятия мощность излучения; характеризует энергию излучения, распространяющегося внутри нек-рого телесного угла через к.-л. поверхность в единицу времени. П. и. измеряется в Вт и оценивается по действию излучения на неселективный спектрально-избират. приёмник. В метрологии таким приёмником, как правило, служит калориметр с приёмным элементом в виде чернёной полости, коэф. поглощения к-рой близок к единице и с достаточной для практич. целей точностью не зависит от длины волны l. Для характеристики действия оптич. излучения на селективный приёмник (глаз человека, биол. объект и т. п.) пользуются понятием редуцированного П. и., примером к-рого является световой поток, характеризующий действие излучения на глаз человека и измеряемый в люменах (лм). Отношение П. и. к.-л. монохроматич. излучения к содержащемуся в нём световому потоку наз. механическим эквивалентом света;1 Вт излучения с l = 555 нм соответствует световой поток, равный 683 лм.
Лит.: ГОСТ 26148-84. Фотометрия. Термины и определе-ления; Гуревич М. М., Фотометрия, 2 изд., Л., 1983.
М. А. Бухштаб.
|
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРАНДТЛЯ ТРУБКА (Пито - Прандтля трубка) - прибор для одноврем. измерения полного и статич. давления в потоке жидкости или газа. Представляет собой трубку Пито, усовершенствованную нем. учёным Л. Прандтлем (L. Prandtl), к-рый совместил измерение полного и статпч. давления в одном приборе. См. Трубки измерительные. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРЕДЕЛЬНЫЕ ГРУППЫ СИММЕТРИИ - см. Сим метрия кристаллов. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРЕЛЕСТЬ (красота) (англ. beauty) - квантовое число, характеризующее определ. тип (аромат )кварка (b -кварка), а также адроны, в состав к-рых входит b -кварк [и(или) антикварк b]. См. Красота. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРЕЛОМЛЕНИЕ РАДИОВОЛН - см. Рефракция радиоволн. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СИММЕТРИИ - см. Симметрия кристаллов. |
ВСТРЕЧНО-ШТЫРЕВЫЕ (ВШП) - см. Пьезоэлектрические преобразователи. |
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ - устройство, вырабатывающее напряжение питания заданной величины из др. питающего напряжения (напр., для питания аппаратуры от аккумулятора). Одним из осн. требований, предъявляемых к П. н., является обеспечение максимального кпд.
Преобразование перем. напряжения легко осуществляется с помощью трансформатора, поэтому преобразователи пост. напряжения выполняются, как правило, на основе промежуточного преобразования пост. напряжения в переменное. Мощный генератор перем. напряжения, к-рый питается от источника исходного пост. напряжения, подключается к первичной обмотке трансформатора, а со вторичной обмотки снимается перем. напряжение нужной величины, к-рое затем выпрямляется. Постоянное выходное напряжение выпрямителя при необходимости стабилизируется с помощью стабилизатора, включённого на выходе выпрямителя, или путём управления параметрами перем. напряжения, вырабатываемого генератором (см. Стабилизация тока и напряжения). Для получения высокого кпд в П. н. применяются генераторы, работающие в т. н. ключевом режиме и вырабатывающие напряжение прямоуг. формы (см. Логические схемы). Выходные транзисторы генератора, коммутирующие напряжение на первичной обмотке, переключаются из закрытого состояния, в к-ром ток через транзистор не течёт, в состояние насыщения, в к-ром падение напряжения на транзисторе мало, рассеивая небольшую мощность.
В П. н. высоковольтных источников питания обычно используется эдс самоиндукции, возникающая на индуктивности при резком прерывании тока. Прерывателем тока служит транзистор, работающий в ключевом режиме, индуктивностью является первичная обмотка повышающего трансформатора. Выходное напряжение снимается со вторичной обмотки и выпрямляется. Такие схемы вырабатывают напряжение до неск. десятков кВ и применяются для питания кинескопов, электронно-лучевых трубок и т. п. Ключевой режим работы П. н. обеспечивает кпд порядка 80% и выше.
А. В. Степанов. |
ПРЕОНЫ - гипотетич. элементарные объекты (частицы), из к-рых, возможно, составлены кварки и леп-тоны (см. Составные модели лептонов и кварков). |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРИВЕДЁННАЯ МАССА - условная характеристика распределения масс в движущейся механической или смешанной (напр., эл.-механич.) системе, зависящая от физ. параметров системы (масс, моментов инерции, индуктивности и др.) и от закона её движения. В простейших случаях П. м. определяется из равенства где Т- кинетическая энергия системы, - скорость нек-рой характерной точки, к к-рой и приводится масса системы. Напр., для тела, совершающего плоско-параллельное движение, при приведении к его центру масс С П. м. где т- масса тела,- радиус инерции относительно оси, перпендикулярной к плоскости движения и проходящей через центр С, hc- расстояние от центра масс до мгновенной оси вращения (в общем случае величина переменная). Обобщением понятия П. м. являются т. н. коэф. инерции в выражении кинетич. энергии системы со стационарными связями, положение к-рой определяется обобщёнными координатами
где - обобщённые скорости, - ф-ции обобщённых координат. с. м. Торг, |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРИЗМЫ ОПТИЧЕСКИЕ - призмы из материалов, прозрачных для оптического излучения в нек-ром интервале его частот. Они могут быть и могут не быть призмами в строго геом. смысле (напр., с усечённой вершиной). П. о. подразделяются на три обширных и резко различающихся по назначению класса: спектральные призмы (преломляющие или дисперсионные призмы), отражательные призмы и поляризационные призмы. |
ПРИЛИПАНИЕ - электронов - образование от-рицат. ионов с участием свободных электронов. Сюда относятся процессы диссоциативного П. и тройной процесс (с участием трёх частиц) П. иона к атому или молекуле. Подробнее см. в ст. Отрицательные ионы.
Б. М. Смирнов. |
ПРИМЕСНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ - проводимость полупроводника, при к-рой осн. вклад в перенос заряда дают электроны (дырки), термически возбуждённые в зону проводимости (валентную зону) из локализованных в запрещённой зоне донорных (акцепторных) состояний (проводимость n -типа и р -типа). П. п. определяется концентрацией донорных и акцепторных примесей и положением их уровней в запрещённой зоне. При высоких темп-pax Т, если полупроводник невырожден, концентрация ni носителей в собственном полупроводнике (см. Собственная проводимость )удовлетворяет условию наличие примесей незначительно сказывается на концентрациях электронов n и дырок р:
При этом все примеси ионизованы, а уровень Ферми близок к середине запрещённой зоны. При более низких темп-pax, для к-рых почти все мелкие примеси остаются еще ионизованными (область истощения). В этом случае
т. е. концентрация осн. носителей не зависит от Т. При дальнейшем понижении Тприближается к уровню донорной примеси, и заселённость донорных уровней будет расти за счёт поступления электронов из зоны проводимости, а концентрация зонных носителей заряда соответственно уменьшаться. При ТОК концентрации зонных носителей убывают экспоненциально, в этом пределе доминирует прыжковая проводимость.
Лит. см. при ст. Полупроводники.. И. Л. Бейнихес.
|
ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ - энергетич. состояния (уровни) полупроводника, расположенные в запрещённой зоне и обусловленные присутствием в нём примесей и структурных дефектов. В зависимости от того, мало или сравнимо с шириной запрещённой зоны расстояние от П. у. до края ближайшей разрешённой зоны, различают мелкие и глубокие П. у. По способности примесного атома отдавать электрон в зону проводимости либо принимать его из валентной зоны П. у. подразделяют надонорные и акцепторные (рис.). Мелкие П. у., соответствующие примесям замещения (замещение атома кристалла примесным атомом), проявляют донорный характер, если валентность примесного атома превышает валентность атомов осн. кристалла, или акцепторный - при обратном соотношении. Глубокие П. у. обычно образуются при замещении атомов матрицы атомами, отличающимися по валентности более чем на 1. Такие примеси иногда способны образовывать неск. П. у., соответствующих разл. зарядовым состояниям, напр. атомы Си в Ge создают три П. у., соответствующих ионам Глубокие П. у., отвечающие разным ионам, могут иметь разл. характер (одни - быть донорными, другие-акцепторными).
Схема уровней энергии различных примесей в Si ( а) и Ge (б).
В случае примесей внедрения донорный или акцепторный характер П. у. не зависит от их валентности, а определяется величиной электроотрицательности. Если электроотрицательность у примесных атомов больше, чем у атомов матрицы, то П. у. наз. акцепторными, в обратном случае - донорными. Одна и та же примесь может быть донором при замещении и акцептором при внедрении (напр., О в Si) либо наоборот.
П. у. локализованы вблизи дефектов. При очень высоких концентрациях примесей волновые ф-ции, соответствующие П. у., перекрываются, что приводит к "размыванию" П. у. в примесные зоны.
Лит. см. при ст. Полупроводники.. Э. М. Эпштейн. |
ПРИМЕСНЫЙ АТОМ - атом кристалла, хим. природа к-рого отлична от хим. природы осн. атомов, образующих кристалл. П. а. относятся к точечным дефектам и приводят к нарушению строгой периодичности идеального кристалла. П. а. располагаются либо в узлах кристаллич. решётки, замещая осн. атомы (примесь замещения), либо в междоузлиях (примесь внедрения). |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРИМИТИВНАЯ РЕШЕТКА - см. в ст. Браве решётки. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРИСОЕДИНЁННЫЙ ВИХРЬ - условный вихрь, неподвижно связанный с телом (крылом), обтекаемым безвихревым потоком идеальной несжимаемой жидкости. Введён H. E. Жуковским как воображаемое "жидкое крыло", ограниченное замкнутым контуром (линией тока), внутри к-рого происходит движение идеальной жидкости в виде вихря (круговое движение частиц). Циркуляция скорости, создаваемая П. в., равна циркуляции скорости по контуру, охватывающему действительное обтекаемое крыло, возникновение к-рой в идеальной жидкости связано с невозможностью появления в ней больших отрицат. давлений и растягивающих усилий.
При вычислении подъёмной силы крыла бесконечно большого размаха (см. Жуковского теорема )это крыло можно заменить П. в. с прямолинейной осью, к-рый создаёт в окружающей среде ту же циркуляцию скорости, что и действит. крыло. Интенсивность П. в. (циркуляция скорости по контуру, охватывающему крыло) определяется на основе Чаплыгина- Жуковского постулата.
При решении задач о распределении давлений p аэродинамич. нагрузок по хорде крыла его заменяют системой П. в., непрерывно распределённых по контуру профиля крыла пли по ср. линии профиля (в теории тонкого крыла). Эта система вихрей представляет собой присоединённый вихревой слой крыла. Исходя из граничного условия, чтобы на поверхности крыла скорость потока была направлена по касательной к ней, составляют ур-ние, в к-рое входит погонная циркуляция присоединённого вихревого слоя. Найдя эту циркуляцию, вычисляют по теореме Жуковского погонную нагрузку, к-рая в случае тонкого крыла равна разности между давлением на ниж. и верх. поверхностях крыла.
Схема присоединённого и свободных вихрей крыла конечного размаха.
Т. к. внутри жидкости вихри не могут заканчиваться, то в случае крыла конечного размаха П. в. продолжаются в окружающую среду в виде свободных вихрей (рис.). Знание вихревой системы крыла позволяет вычислить действующие на него аэродинамич. силы. В частности, от взаимодействия присоединённых и свободных вих-рей крыла возникает индуктивное сопротивление крыла.
Лит.: Жуковский H. E., О присоединенных вихрях, Собр. соч., т. 4, М.- Л., 1949; Голубев В. В., Лекции по теории крыла, М.- Л., 1949; Лойцянский Л. Г., Механика жидкости и газа, 6 изд., М., 1987; Степанов Г. Ю., О некоторых неточностях в разъяснениях теории крыла, "Изв. АН СССР. Сер. Механика жидкости и газа", 1975, в. 3, с. 188. С. Л. Вишневсцкии. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРИЦЕЛЬНЫЙ ПАРАМЕТР (прицельное расстояние, параметр удара) - в классич. теории рассеяния частиц расстояние между рассеивающим центром и первичным направлением движения рассеивающихся частиц (см. Рассеяние микрочастиц). |
ПРИЧИННАЯ ФУНКЦИЯ ГРИНА - то же, что про-пагатор. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРОБОЙ ДИЭЛЕКТРИКОВ - см. в ст. Диэлектрики, |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРОБОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ - обобщённое название различных по физ. природе процессов, связанных с изменением проводящих свойств среды под действием электрич. поля. В результате П. э. резко возрастает ток в среде исходно неэлектропроводной (или очень слабо проводящей), в нек-рых случаях может измениться агрегатное состояние вещества.
Различают неск. видов П. э. в зависимости от среды, в к-рой он происходит: пробой вакуума, газа, диэлектрика. Пробой электровакуумного промежутка (вакуумный пробой )связан с появлением токового канала, к-рый на нач. этапе может инициироваться ускоренными в электрич. поле заряж. частицами, всегда в небольшом кол-ве имеющимися в промежутке. В результате бомбардировки электродов и вторичной электронной эмиссии ток увеличивается; вследствие теплового разогрева электродов и их эрозии зажигается вакуумная дуга, к-рая горит в материале паров своих электродов. В сильных полях ( В/см) инициирующий механизм пробоя, как правило, связан с появлением большого автоэмиссионного тока, а в предельном случае - взрывной электронной эмиссии.
П. э. газового промежутка следует рассматривать как нач. стадию электрического разряда в газе. В зависимости от типа разряда могут быть существ. отличия в формировании токового канала и механизма то-копрохождения. Наиб. исследован пробой в тлеющем разряде. Существенно различаются механизмы формирования пробоя в дуговых разрядах низкого и высокого давлений, к-рые определяются не только формой электродов и частотой электрич. поля, но также и характером нач. эмиссии (термоэмиссия или холодные электроды с формированием пятен).
Свои специфич. особенности (образование стримеров, молнии, коронирование) имеет пробой при искровом разряде (см. также Пробой газа).
П. э. жидких и твёрдых диэлектриков происходит при достижении определ. напряжённости приложенного электрич. поля называемой электрич. прочностью.
В случае пробоя диэлектрич. кристалла образуется высокопроводящий токовый канал (шнур). Шнурование тока обычно возникает, когда дифференц. электрич. сопротивление становится отрицательным (см. Отрицательное дифференциальное сопротивление, Диэлектрики).
Лит, см. при ст. Вакуумный пробой, Пробой газа, Диэлектрики. Ф. Г. Бакшт, В. Г. Юрьев" |
ПРОВОДИМОСТИ ЗОНА - разрешённая энергетич. зона в электронном спектре твёрдого тела, не заполненная (в диэлектриках )или частично заполненная (в металлах )электронами при темп-ре Т =0 К. В полупроводниках электроны появляются в П. з. при Т>0 К (тепловое возбуждение) или под действием света (оптич. возбуждение), сильных полей и т. п. Так как П. з. заполнена электронами лишь частично, последние могут под действием внеш. поля переходить на более высокие уровни энергии в пределах этой зоны. Электроны в П. з. (электроны проводимости), наряду с дырками в валентной зоне, определяют кинетич. свойства твёрдых тел - электропроводность и теплопроводность, гальвано- и термомагн. явления и т. п. (см. Зонная теория).. Э. М. Эпштейп. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРОВОДИМОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ - см. Электропроводность. |
ПРОГРАММА (от греч. programma - объявление, распоряжение) - заданный набор действий и (или) правил, подлежащих выполнению (проверке) нек-рым исполнителем, обычно автоматич. устройством, чаще всего ЭВМ; предписание, алгоритм. П. выглядит как конечная совокупность команд (инструкций), каждая из к-рых предписывает исполнителю выполнить нек-рую элементарную операцию над данными, хранящимися в памяти исполнителя (см. Памяти устройства). Последовательность исполнения П. определяется тем, что любая текущая команда, кроме завершающей, указывает однозначно на команду П., к-рая должна выполняться после текущей. Команды ветвления (усл. переходы) осуществляют выбор одного из нескольких (указанных в команде) продолжений на основании проверки условий, определяющих свойства данных, упоминаемых в команде. Кроме того, возможно многократное выполнение отд. команд. Поэтому последовательность выполняемых команд и длина этой последовательности при исполнении П. могут варьироваться, однозначно определяясь входными данными. Для П., состоящей из набора действий, её алгоритм заранее определён, в отличие от П., состоящей из набора правил, когда её алгоритм определяется самим исполнителем в процессе выполнения П. Т. о., П. является конечным объектом, к-рый побуждает исполнителя закономерно реагировать на потенциально бесконечное разнообразие входных данных.
Лит.: Математический энциклопедический словарь, М., 1988, с, 494; Язык компьютера, пер. с англ. М., 1989. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ - организованная совокупность программ постоянного употребления, ориентирующая ЭВМ на тот или иной класс применений. Различают системное П. о., характеризующее данный тип ЭВМ и лежащее в основе любого её применения, и прикладное П. о., ориентирующее ЭВМ на заданный класс задач.
Ядром системного П. о. является операционная система - комплекс программ, связывающих устройства ЭВМ в единое целое и обеспечивающих фундам. процессы, лежащие в основе исполнения любой программы: управление памятью, заданиями, связь с внеш. памятью и устройствами ввода-вывода, организация совм. исполнения неск. программ, самоконтроль ЭВМ. Следующий слой системного П. о. образуют системы программирования, к-рые осуществляют трансляцию программ с того пли иного языка программирования, а также предоставляют средства разработки программ. К системам программирования примыкают системы управления базами данных, разнообразные средства обработки текстовой информации системы телекоммуникации и машинной графики.
Прикладное П. о. разрабатывается обычно в виде пакета прикладных программ (ППП), т. е. программ, образующих целостное единство. Осн. назначение ППП - дать возможность пользователю ЭВМ сформулировать задачу, найти и использовать её решение в понятиях и терминах, близких его осн. деятельности и не требующих детального программирования средствами универсального языка. П. о. характеризуется назначением, языками программирования, с помощью к-рых оно реализовано, объёмом исходного текста программ в командах и требуемыми для функционирования П. о. ресурсами ЭВМ.
Лит..·Fлор ее А., Программное обеспечение, пер. с англ., М., 1971; Королев Л. Н., Структуры ЭВМ и их математическое обеспечение, 2 изд., М., 1978. |
ПРОДОЛЬНАЯ ВОЛНА - волна, у к-рой характеризующая её векторная величина (напр., для гармонич. волн векторная амплитуда) коллинеарна направлению распространения (для гармонич. волн - волновому вектору). К П. в. обычно относят звуковые волны в газах, жидкостях и изотропных твёрдых телах, ленгмюровские волны в плазме p др. волны, где колебания частиц могут происходить строго вдоль волнового вектора. Понятие П. в., как и поперечной волны, условно и связано со способом её описания. Напр., плоская эл.-магн. волна в изотропном диэлектрике или магнетике, обычно рассматриваемая как поперечная, может описываться продольным Герца вектором. Строго говоря, к П. в. относятся лишь симметричные, однородные волны (плоские, цилиндрические, сферические). Но, напр., суперпозиция двух плоских продольных (напр., звуковых) волн, распространяющихся под углом друг к другу, порождает неоднородную плоскую волну, в к-рой частицы движутся по эллипсам, различным в разных точках пространства.
М. А. МиллеР, Л. А. Островский. |
ПРОДОЛЬНОЙ УПРУГОСТИ МОДУЛЬ - см. Moдули упругости. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРОЕКЦИОННЫЙ АППАРАТ - оптич. устройство, формирующее изображения оптические объектов на рассеивающей поверхности, служащей экраном. По способу освещения объекта различают диаскопич., эписко-пич. и эпидиаскопич. П. <а.
В диаскопическом П. а. (рис. 1) изображение на экране создаётся световыми лучами, проходящими сквозь прозрачный объект (диапозитив, киноплёнку). Это самая многочисленная и разнообразная группа П. а., предназначенная для фотопечати, просмотра диапозитивов, чтения микрофильмов и т. д. Разновидностью диаскопич. П. а. является кинопроекц. аппарат.
Рис. 1. Оптическая схема диаскопического аппарата; 1- источник света; 2 - осветительная система (конденсор); 3- диапозитив; 4- объектив; 5- экран.
Эпископический П. а. (рис. 2) проецирует на экран изображение непрозрачного объекта с помощью лучей, рассеиваемых этим объектом. К ним относятся эпископы, приборы для копирования топо-графич. карт, проецирования рисунков и т. д.
Рис. 2. Оптическая схема эпископического аппарата: 2- источник света; 2 - отражатель; 3- проецируемый объект; 4 - объектив; 5 - зеркало; 6 - экран.
Эпидиаскопический П. а. представляет собой комбинацию диаскопия, и эпископич. приборов (см. Эпидиаскоп), допускающую проецирование как прозрачных, так и непрозрачных объектов.
П. а. состоит из механич. и оптич. деталей. Механич. часть П. а. обеспечивает определ. положение объектов относительно оптич. части, смену объектов и требуемую длительность их проецирования. Оптич. часть, осуществляющая процесс проецирования, состоит из осветит. системы (включающей источник света и конденсор) и проекц. объектива.
Лит.: Волосов Д, С., Цивкин М. В., Теория и расчет светооптических систем проекционных приборов, М., 1960; Теория оптических систем, 2 изд., М., 1981. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРОЗРАЧНОСТЬ - среды - величина, показывающая, какая доля падающего на поверхность потока излучения (или для видимого света - светового потока )проходит без изменения направления через слой единичной толщины. (Влияние поверхностей раздела, через к-рые проходит излучение, исключается.) Высокой П. обладают среды с направленным пропусканием излучения. В диапазоне видимого света сквозь тела из таких сред при подходящих геом. формах предметы видны отчётливо. П. зависит от длины волны излучения; применительно к монохроматич. свету говорят о монохрома-тич. прозрачности. П. отличают от пропускания вообще, т. к. среда может быть непрозрачная, но в то же время пропускать рассеянный свет (напр., П. тонких листов бумаги равна нулю, через них проходит только рассеянный свет). Соответственно П. связана только с коэф. направленного (но не диффузного) пропускания (см. Пропускания коэффициент). В слое толщиной 1 см П. оптич. кварца ок. 0,999, оптич. стекла 0,99- 0,995.
|
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРОКА УРАВНЕНИЕ - ур-ние свободного векторного поля с массой m и спином 1:
П. у. эквивалентно системе Клейна- Гордона уравнения = 0 и условия Лоренца = 0. Благодаря последнему поле Прока описывает не четыре, а три (непрерывные) степени свободы и отвечает спину 1. Формально при m = 0 П. у. переходит в Максвелла уравнения; получающееся безмассовое векторное поле приобретает калибровочную инвариантность и отвечает лишь двум физ. степеням свободы. Это обстоятельство делает невозможным непосредств. переход от квантовой теории массивного векторного поля к квантовой теории безмассового поля. Проблема перехода решается Штюкельберга формализмом, дающим альтернативное описание массивного векторного поля.
Лит.: Умэдзава X., Квантовая теория поля, пер. с англ., М., 1958; Огиевецкий В. И., Полубаринов И. <л В., Калибровочно-инвариантная формулировка теории нейтрального векторного поля, "ЖЭТФ", 1961, т. 41, с. 247; Ициксон К., Зюбер Ж.-Б., Квантовая теория поля, пер,, с англ., т. 1-2, М., 1984. В, П. Павлов. |
Статья большая, находится на отдельной странице. |
ПРОМЕЖУТОЧНОЕ СОСТОЯНИЕ - термодинамически устойчивая доменная структура, возникающая при фазовых переходах1-го рода, индуцированных магн. полем. П. с. появляется в образце конечного размера в веществе, у к-рого под действием магн. поля возможен фазовый переход 1-го рода из состояния с меньшей намагниченностью (фаза I) в состояние с большей намагниченностью (фаза II). В образце, обладающем размагничивающим фактором N, такой переход не может осуществляться скачком, т. к. если бы весь образец при достижении магн. полем критич. величины Н с перешёл в новую фазу, то из-за увеличения размагничивающего поля внутр. магн. поле стало бы меньше критического. Поэтому образец разбивается на чередующиеся области фаз I и II так, что внутр. поле остаётся постоянным и равным Н с. Образуется П. с. Переход образца в фазу II происходит по мере увеличения магн. поля от Hc до H с + NDcHc (Dc - разность магн. восприимчивостей обеих фаз).
П. с. было впервые предсказано и обнаружено у сверхпроводников первого рода при переходе в нормальное состояние под действием магн. поля (см. Промежуточное состояние сверхпроводников). Др. пример П. с.- магнитная доменная структура, к-рая появляется в легкоосных антиферромагнетиках вблизи спин-флоп перехода (см. Антиферромагнетизм).
Лит.: Барьяхтар В . Г., Богданов А. Н., Яб-. лонский Д. А., Физика магнитных доменов, "УФН", 1988, т. 156, с. 47. А. С. Боровик-Романов., |
Статья большая, находится на отдельной странице. |