Приглашаем посетить сайт

Физическая энциклопедия. В 5-ти томах
Статьи на букву "Э" (часть 2, "ЭЛЕ")

Статьи на букву "Э" (часть 2, "ЭЛЕ")

ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ

ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ - 1) физ. величина, характеризующая противодействие проводника или электрич. цепи электрическому току. Э. с. определяется как коэф. пропорциональности R между разностью потенциалов U и силой пост. тока I в Ома законе для участка или замкнутой цепи проводников. Для однородного по составу проводника с пост. сечением S и длиной l т. н. а к т и в н о е, или о м и ч е с к о е, Э. <с. R =rl/S, где r=1/s - у д е л ь н о е Э. с., характеризующее материал проводника, s-электропроводность (физ. механизмы, определяющие значения r или s и их зависимость от темп-ры, см. в ст. Электропроводность). В цепях перем. тока полное Э. <с. определяется помимо активной составляющей также т. <н. р е а к т и в н о й составляющей Э. с., зависящей от индуктивности и ёмкости электрической (см. Импеданс )цепи. Единица Э. <с. в СИ - Ом. 2) Структурный элемент электрич. цепи, включаемый в цепь для ограничения или регулирования силы тока. Наличие активного Э. <с. приводит к диссипации (рассеянию) электрич. энергии и переходу её в тепловую (см. Джоуля - Ленца закон).

ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОАКУСТИКА

ЭЛЕКТРОАКУСТИКА - раздел прикладной акустики, содержание к-рого составляют теория, методы расчёта и конструирование электроакустических преобразователей. Часто к Э. относят теорию и методы расчёта электро-механич. преобразователей (звукоснимателей, рекордеров, виброметров, электромеханич. фильтров и трансформаторов и др.), связанных с электроакустич. преобразователями общностью физ. механизма, методом расчёта и конструирования. Э. тесно связана также со многими др. разделами прикладной акустики, поскольку рассматриваемые ею электроакустич. преобразователи либо органически входят в состав разл. акустич. аппаратуры (напр., при звукозаписи и воспроизведении звука, в УЗ-дефектоскопии и технологии, в гидроакустике, акустич. голографии), либо широко применяются при эксперим. исследованиях (напр., в архитектурной и строит. акустике, медицине, геологии, океанографии, сейсморазведке, при измерении шумов). Осн. задачи Э.- установление соотношений между сигналами на входе и выходе преобразователя и отыскание условий, при к-рых преобразование осуществляется наиб. эффективно или с мин. искажениями. Э. как самостоят. раздел прикладной акустики сложилась в 1-й пол. 20 в. Первые работы по расчётам электроакустич. преобразователей относятся к кон. 19 - нач. 20 вв. и связаны с развитием телефонии, исследованиями колебаний пьезоэлектрич. и магнитострикц. резонаторов. Существенным для прогресса Э. явилось создание метода электроакустич. аналогий и эквивалентных схем, использование метода электромеханич. многополюсников и метода эквивалентных схем для систем с распределёнными параметрами, амплитуда колебаний к-рых существенно зависит от их координат аналогично электрич. длинным линиям (см. Линии передачи )и волноводам. Лит.: Фурдуев В. В., Электроакустика, М.- Л., 1948; Физическая акустика, под ред. У. Мэзона, пер. с англ., т. 1, ч. А - Б, М., 1966-67; Скучик Е., Основы акустики, пер. с англ., т. 1-2, М., 1976. Р. Е. Пасынков.

ЭЛЕКТРОАКУСТИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОАКУСТИЧЕСКОЕ ЭХО

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОГИРАЦИЯ

ЭЛЕКТРОГИРАЦИЯ - возникновение или изменение оптической активности в кристаллах под действием электрич. поля. Напр., в центросимметричном кристалле РbМоО 4 при напряжённости поля 10 кВ возникает оптич. активность, дающая удельное вращение плоскости поляризации света ~5° см -1 на длине волны l = 400 нм. В кристаллах кварца обнаружена квадратичная зависимость Э. от напряжённости поля. В нек-рых сегнетоэлектриках (напр., 5PbO.3GeO2) от напряжённости поля зависит знак оптич. активности. В области темп-р фазового перехода Э. в сегнетоэлектриках обычно выше, чем Э. в диэлектриках. Лит.: Агранович В. М., Гинзбург В. Л., Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов, 2 изд., М., 1979; Федоров Ф. И., Теория оптической активности кристаллов, "УФН", 1972, т. 108, в. 4, с. 762. И. С. Желудев.

ЭЛЕКТРОДВИЖУЩАЯ СИЛА

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОДИНАМИКА

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОДИНАМИКА ДВИЖУЩИХСЯ СРЕД

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОДИНАМИКА КВАНТОВАЯ

ЭЛЕКТРОДИНАМИКА КВАНТОВАЯ - см. Квантовая электродинамика.

ЭЛЕКТРОДИФФУЗИЯ

ЭЛЕКТРОДИФФУЗИЯ -перенос вещества в расплавах с электронной или дырочной проводимостью (напр., сплавов Na с К, Hg с Cd, Ga с As) при пропускании пост. электрич. тока. Наблюдается также в тв. телах, однако в этом случае происходит значительно медленнее. Известна Э. изотопов в металлах; обычно более лёгкий изотоп мигрирует к аноду. Э. характеризуют электрич. подвижностью ui ионов i -го компонента, равной скорости их направленного движения при напряжённости поля 1 В/см, и эффективным зарядом Эти параметры связаны ур-нием Эйнштейна: и i =eD0/kT, где D0 - коэф. молекулярной диффузии, е - элементарный электрич. заряд. При достаточно длит. пропускании тока Э. уравновешивается обратной диффузией и конвекцией и достигается стационарное распределение концентрации с i -го компонента в образце, определяемое соотношением c2 = c1 ехр(uiDj/D), где Dj - разность электрич. потенциалов между точками 2 и 1, D - эффективный коэф. диффузии. При высоких значениях uiDj/D степень разделения компонентов при Э. весьма велика. Одним из факторов, определяющих Э., является электронный ветер - увлечение ионов компонентов потоком электронов проводимости. В разбавл. бинарном растворе =z2-z1s2/s1, где z2 и z1- истинные заряды ионов, s2 и s1 -сечения рассеяния ими электронов. Э. используют для глубокой очистки металлов в жидкой фазе, выращивания монокристаллов металлов и эпитакси-альных слоев полупроводниковых соединений, напр. GaAs. Лит.: Михайлов В. А., Богданова Д. Д., Электроперенос в жидких металлах, Новосиб., 1978.

ЭЛЕКТРОДЫ ПЛАЗМЕННЫЕ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОКАЛОРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ

ЭЛЕКТРОКАЛОРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ - изменение темп-ры Т кристалла на величину DT при приложении к нему электрич. поля Е. Э. э. является обратным пиро-электрич. эффекту и возможен в кристаллах, принадлежащих к 10 точечным группам симметрии, а также в текстуpax, характеризующихся полярными предельными группами симметрии (см. Пироэлектрики, Симметрия кристаллов). Э. э. описывается выражением DT=qE, где коэф. q = dT/dE связан с пироэлектрич. коэф. g = дР/дТ (Р- поляризация) соотношением q= -jT/rC(r-плотность кристалла, С -его теплоёмкость). Пироэлектрич. коэф. у пироэлектриков таков, что AT, как правило, оказывается малой величиной. Напр., для кристалла турмалина электрич. поле E~105 В/м приводит к охлаждению или нагреванию (в зависимости от направления поля относительно поля спонтанной поляризации) лишь на 5 10-5 К. В сегнетоэлектриках в области фазового перехода q и g на неск. порядков выше, поэтому DT может составлять доли единицы и даже 1 К. При этом, однако, зависимость D Т(Е )при больших Е перестаёт быть линейной. Н. Р. Иванов.

ЭЛЕКТРОКИНЕТЙЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОЛИЗ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОЛИТЫ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОМАГНИТНАЯ ИНДУКЦИЯ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОМАГНИТНО-АКУСТИЧЕСКОЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЕ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ

ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ - см. в ст. Излучение.

ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ПОЛЕ

ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ПОЛЕ - физ. поле, взаимодействующее с электрически заряж. частицами вещества, а также с частицами, имеющими собственные дипольные и мультипольные электрич. и магн. моменты. Концепция поля для описания электрич. и магн. явлений [первонач. в форме потенциалов - С. Пуассон (S. Poisson), 1811, 1823] сложилась как альтернатива теории дальнодействия. Термин "Э. п." стал применять М. Фарадей (М. Faraday), понимая его как реальный физ. объект, распределённый в пространстве. Дж. Максвелл (J. Maxwell) определил Э. п. как совокупность взаимосвязанных векторных полей и установил законы, к-рым они подчиняются (см. Максвелла уравнения). Однако до А. Эйнштейна (A. Einstein) (1904) Э. п. продолжали трактовать как возмущение гипотетич. среды - "светоносного эфира". Эйнштейн окончательно придал Э. п. значение самостоятельной распределённой в вакууме субстанции, обладающей собственной массой и импульсом. Он же ввёл понятие о кванте Э. п. Сосуществуют две концепции Э. п.: классическая и квантовая. Макроскопическое (классическое) Э. п. рассматривается как непрерывное силовое поле, обладающее распределённой энергией, массой, импульсом, моментом импульса (см. Электродинамика). В квантовой физике Э. п. интерпретируют как "газ" элементарных частиц- фотонов, а распределённые векторные величины, подчиняющиеся ур-ниям поля, описывают комплексную амплитуду вероятности обнаружения фотона в данный момент времени в данной области пространства с данным поляризац. состоянием (см. Квантовая электродинамика). Согласованность этих двух противоположных, на первый взгляд, концепций объясняется тем, что фотоны имеют целый спин и подчиняются статистике Бозе - Эйнштейна, т. е. способны образовывать конденсат - занимать одно и то же квантовомеханическое состояние. Конденсат большого числа фотонов определяет свойства классич. Э. п. М. А. Миллер, Г. В. Пермитин. Спектр электромагнитных волн

ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ КОЛЕБАНИЯ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ ТОК

ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ ТОК - в к в а н т о в о й т е о р и и п о л я - ток, описывающий рождение эл.-магн. полем пары частица - античастица (или её аннигиляцию) либо поглощение и рождение (в тот же момент времени) заряж. частицы (напр., при описании процессов рассеяния). В принятой терминологии Э. т. является нейтральным векторным током заряж. частиц. Для электрона, напр., он имеет вид jm э. <м. = е( х)gmy( х), m= 0, 1, 2, 3, где y( х) содержит операторы уничтожения электрона и рождения позитрона, а ( х) - операторы уничтожения позитрона и рождения электрона в пространственно-временной точке x (см. Дирака поле),gm- Дирака матрицы. Важнейшее свойство Э. т.- его сохранение, т. е. дjm э. <м.( х)/дxm =0, являющееся следствием калибровочной инвариантности электродинамики. В нерелятивистском пределе нулевая компонента Э. т. (m= 0) превращается в плотность заряда r(r, t), а три пространств. компоненты - в плотность электрич. тока j(r, t). А. В. Ефремов.

ЭЛЕКТРОН

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОНВОЛЬТ

ЭЛЕКТРОНВОЛЬТ (эВ, eV) -внесистемная единица энергии. Применяется чаще всего для измерения энергии в физике микромира. 1 эВ-энергия, к-рую приобретает электрон при прохождении разности потенциала в 1 В. 1 эВ= 1,60219.10-19 Дж= 1,60219.10-12 эрг. 1 эВ на одну частицу соответствует 23,0 ккал/моль. Значению kT=1 эВ соответствует Т=11600 К. Часто в эВ выражают массу микрочастиц на основе установленного А. Эйнштейном (A. Einstein) соотношения =тс2. между массой т и энергией . 1 атомная единица массы =931,49432(28) МэВ.

ЭЛЕКТРОН-ИОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ

ЭЛЕКТРОН-ИОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ - в твёрдых телах (металлах и полупроводниках) взаимодействие между подвижными внешними (валентными) электронами и ионами (ионными остовами), расположенными в узлах кристаллической решётки. Осн. вклад в Э.-и. в. даёт притягивающий потенциал кулоновского типа, к-рый в значит. мере компенсируется за счёт отталкивающего потенциала электронов внутр. оболочек (остовных электронов). Поэтому Э.-и. в. принято описывать с помощью т. н. п с е вд о п о т е н ц и а л о в разл. вида, существенно более сглаженных и слабых по сравнению с исходным потенциалом Э.-и. в. Параметры псевдопотенциала обычно выбираются с помощью подгоночной процедуры, опирающейся на экс-перим. данные и учитывающей конкретную структуру твёрдого тела, в т. ч. положение и тип атома в элементарной ячейке. Построение псевдопотенциала неоднозначно, т. к. оно обусловлено лишь дополнительным "кинематическим" требованием ортогонализации волновых ф-ций внеш. и внутр. электронов; это условие фактически приводит к нек-рому эфф. "динамическому" вкладу в исходный потенциал, существенно ослабляющему последний. При решении ур-ния Шрёдингера с использованием псевдопотенциала для расчёта энергий и волновых ф-ций внеш. электронов в одноэлектронном приближении (в рамках приближений слабой или сильной связи, см. Зонная теория )применима возмущений теория; при этом кристаллич. решётка считается неподвижной (т. н. приближение статической решётки). Учёт тепловых колебаний ионов вблизи положений равновесия в узлах кристаллич. решётки благодаря Э.-и. в. приводит к электрон-фононному взаимодействию (об Э.-и. в. в атомах, молекулах и плазме см. в ст. Атом, Молекула, Плазма, а также Рекомбинация ионов и электронов в плазме и Ридберговские состояния). Лит.: Займан Дж., Принципы теории твердого тела, пер, с англ., 2 изд., М., 1974; Хейне В., Коэн М., Уэйр Д., Теория псевдопотенциала, пер. с англ., М., 1973; Ашкрофт Н., Мер-мин Н., Физика твердого тела, пер. с англ., т. 1, М., 1979; Брандт Н. Б., Чудинов С. М., Электроны и фононы в металлах, 2 изд., М., 1990; Анималу А., Квантовая теория кристаллических твердых тел, пер. с англ., М., 1981; Кацнельсон А. А., Введение в физику твердого тела, М., 1984. Ю. Г. Рудой.

ЭЛЕКТРОННАЯ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ МАШИНА

, см. в ст. ЭВМ.

ЭЛЕКТРОННАЯ И ИОННАЯ ОПТИКА

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ

ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ - величина, равная числу электронов п(r )в единице объёма атомной системы. Для N -электронного атома, иона или молекулы Э. п. определяется выражением с нормировкой где Y(r1, r2, ..., rN) - волновая ф-ция системы. Интегрирование в (*) производится по всем координатам r электронов, кроме i -го. В случае одноэлектронного атома где jnlm - волновая ф-ция электрона с квантовыми числами п, l и т. В случае многоэлектронных атомных систем (N>> 10), когда расчёт по ф-ле * весьма громоздок, используют статистич. Томаса - Ферми метод или его модификации. Этот метод применяют для расчёта эфф. потенциала атомного остатка (ядро + N-1 электронов) как пробного потенциала в методе самосогласованного поля (см. Хар-три - Фока метод). При нахождении аналитич. выражения п(r )атомов и ионов в качестве радиальных волновых ф-ций электронов часто используются безузловые ф-ции Слейтера, являющиеся произведением полинома от r на экспоненциальную ф-цию. Наиб. общей формой квантовомеханич. описания Э. п. квантовой системы является матрица плотности; (см. Матрица плотности). Лит.: Теория неоднородного электронного газа, под ред. С. Лундквиста, Н. Марча, пер. с англ., М., 1987. В. П. Шевелько.

ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕПЛОЁМКОСТЬ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ - вклад электронов проводимости в теплопроводность твёрдых тел. Э. т. играет осн. роль в металлах (в нормальном состоянии), полуметаллах и нек-рых полупроводниках. При низких темп-pax Э. т. определяется рассеянием электронов примесями и дефектами и возрастает с темп-рой, при высоких темп-pax - рассеянием на фононах и падает с ростом темп-ры, так что при нек-рой темп-ре Э. т. достигает максимума, тем более высокого, чем совершеннее кристалл (см. Рассеяние носителей заряда). В проводниках Э. т. связана с электропроводностью Ви-демана - Франца законом. В сверхпроводниках электроны, объединённые в куперовские пары, не участвуют в переносе тепла, так что при Т< Т с (Т с - темп-pa перехода в сверхпроводящее состояние) Э. т. определяется нормальными (неспаренньгми) электронами и экспоненциально убывает с приближением к 0 К. В биполярных полупроводниках и полуметаллах существует дополнит. механизм (биполярная составляющая) Э. т.: электронно-дырочные пары, образующиеся на горячем конце образца, диффундируют навстречу градиенту темп-ры и рекомбинируют на холодном конце с выделением тепла. Э. т. изменяется под действием магн. поля (см. Маджи - Риги - Ледюка эффект). Измерение Э. т. даёт информацию о механизме рассеяния носителей заряда, особенностях зонной структуры твёрдых тел, величине и температурной зависимости ширины запрещённой зоны исследуемого материала и т. д. Для выделения Э. т. из полной теплопроводности используются подавление Э. т. магн. полем, исчезновение Э. т. в сверхпроводящем состоянии, а также косвенные методы. Лит.: Смирнов И. А., Тамарченко В. И., Электронная теплопроводность в металлах и полупроводниках, Л., 1977; Бер-ман Р., Теплопроводность твердых тел, пер. с англ., М., 1979. Э. М. Эпштейн.

ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ

ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ - испускание электронов поверхностью конденсированной среды. Э. э. возникает в случаях, когда часть электронов тела приобретает в результате внеш. воздействия энергию, достаточную для преодоления потенц. барьера на его границе, или если внеш. электрич. поле делает его "прозрачным" для части электронов. Э. э. наблюдается при нагревании тел ( термоэлектронная эмиссия), при бомбардировке электронами ( вторичная электронная эмиссия), ионами ( ионно-электронная эмиссия )или эл.-магн. излучением (фотоэлектронная эмиссия). Для исследования Э. э. необходимо создать у поверхности тела (эмиттера) электрич. поле Е, ускоряющее электроны для удаления (отсасывания) электронов от поверхности эмиттера. Если это поле достаточно велико ( Е10* В/см), оно уменьшает высоту потенц. барьера на границе, в результате чего Э. э. возрастает (Шоттки эффект). В очень сильных полях (E~107 В/см) потенц. барьер становится столь тонким, что возникает туннельное просачивание электронов сквозь него (туннельная, или автоэлектронная эмиссия). В результате одноврем. воздействия двух или более факторов могут возникать тер-моавтоэлектронная, фотоавтоэлектронная эмиссия и др. В очень сильных импульсных электрич. полях ( Е~5 107 В/см) автоэлектронная эмиссия приводит к быстрому разрушению (взрыву) микроострий на поверхности эмиттера и к образованию плотной плазмы. Взаимодействие плазмы с поверхностью эмиттера вызывает резкое увеличение тока Э. э. (взрывная электронная эмиссия). Т. М. Лифшиц.

ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОННАЯ ОБОЛОЧКА

ЭЛЕКТРОННАЯ ОБОЛОЧКА -совокупность электронов в атоме или ионе, состояния к-рых характеризуются определёнными гл. квантовым числом h и орбитальным квантовым числом l. Э. о. обозначается символом nlN, где N- число эквивалентных (имеющих одинаковые п и l) электронов оболочки. Совокупность электронов с определённым п наз. э л е к т р о н н ы м с л о е м. Согласно Паули принципу, макс. значение числа N для данной Э. о. равно 2(2l+1). Э. о. с l=0, 1, 2, 3, ... наз. оболочками s, p, d, f, ..., возможное число электронов в них 2, 6, 10, 14, ... соответственно. Э. о. с максимально возможным числом эквивалентных электронов наз. замкнутой или заполненной, при N =2l+ 1 -полузаполненной, при N<2l+1 -частично заполненной, при N>2l+1 -почти заполненной. В рентг. спектроскопии и химии часто пользуются др. определением Э. о.: оболочкой наз. совокупность электронов с фиксированным числом п, причём оболочки с n=1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 обозначают К, L, М, N, О, P, Q соответственно. В этом случае в K -оболочку входят электроны в состоянии 1s, в L -оболочку - в состояниях 2s и 2 р, в М -оболочку- 3s, 3p, 3d и т. д. В химии совокупность электронов с определёнными п и l наз. подоболочкой. Совокупность Э. о. представляет собой э л е к т р о н н у ю к о н ф и г у р а ц и ю атома или иона. Электронные конфигурации атомов разл. элементов приводятся в периодической системе элементов Менделеева. В. П. Шевелько.

ЭЛЕКТРОННАЯ ПУШКА

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕМПЕРАТУРА

ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕМПЕРАТУРА ( Т e) - величина, имеющая размерность темп-ры, характеризующая ф-цию распределения f е электронов по скорости (энергии) в неравновесном электронном газе (в плазме, в кристалле, см. Горячие электроны). Э. т. определяется интегральным соотношением где и е - ср. скорость направленного движения электронов. Если частота межэлектронных столкновений vee, перераспределяющих энергию между электронами, велика по сравнению с обратным временем tei-1, рассеяния энергии электронов при взаимодействии с атомами и ионами в плазме, с фононами в кристалле, с электрич. полем и т. п. vee>>tei-1, то за время порядка vee-1 в неравновесной системе устанавливается равновесие в электронной подсистеме, характеризуемое максвелловской ф-цией распределения с темп-рой Т е. При этом Т е может быть как больше темп-ры тяжёлых частиц (напр., в плазме электрич. разряда), так и меньше (в структуре ионизующей ударной волны). В случае сильного нарушения равновесия электронной подсистемы, когда условие veetei>>l не выполняется, Т e уже не характеризует ф-цию распределения, однако понятием Э. т. пользуются как нек-рым эфф. параметром, служащим мерой ср. энергии хаотич. движения электронов, = (3/2)kT е. В случае анизотропных распределений часто вводят продольную и поперечную (относительно выделенных направлений) Э. т. См. также Температуры компонент плазмы. В. А. Рожанский, Л. Д. Цендин.

ЭЛЕКТРОННО-ВОЗБУЖДЁННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНАЯ ЖИДКОСТЬ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД - то же, что p - п-переход.

ЭЛЕКТРОННОЕ ЗЕРКАЛО

ЭЛЕКТРОННОЕ ЗЕРКАЛО - электрич. или магн. система, отражающая пучки электронов и предназначенная либо для получения с помощью таких пучков электронно-оптич. изображений, либо для изменения направления движения электронов. В своей значит. части Э. з.- системы, симметричные относительно нек-рой оси (см. Электронная и ионная оптика). Э л е к т р о с т а т и ч е с к и е о с е с и м м е-т р и ч н ы е Э. з. (рис. 1) используют для создания правильных злектронно-оптич. изображений объектов. Если последний электрод такого Э. з. сплошной и электроны меняют направление движения непосредственно вблизи его поверхности, то можно получить увеличенное изображение микрорельефа этой поверхности. В зеркальном электронном микроскопе используется именно это свойство Э. з. Ц и л и н д р и ч е с к и е Э. з. с "двухмерным" (не зависящим от координаты х )электрич. (рис. 2) или магн. полем применяют для изменения направления электронных пучков, причём для электронов, движущихся в ср. плоскости зеркала, угол падения равен углу отражения, аналогично отражению луча света от оптич. зеркала. T. н. т р а н с а кс и а л ь н ы е Э. з. (рис. 3) отличаются малыми аберрациями в направлении, параллельном ср. плоскости Э. з. Рис. 1. Осесимметричные двухэлектродные электронные зеркала: V1 и V2 - потенциалы электродов. Тонкие линии- сечения эквипотенциальных поверхностей плоскостью рисунка. Линии со стрелками-траектории электронов с разной энергией. Зеркала а и б всегда рассеивающие. Зер кала в, г и д могут быть как рассеивающими, так и соби рающими. Рис. 2. Электростатическое цилиндрическое электронное зеркало: 1 и 2- электроды с потенциалами V1 и V2. Рис. 3. Электростатическое трансаксиальное электронное зеркало: 1 и 2 -электроды с потенциалами V1 и V2; R- радиус кривизны зазора между электродами. Лит.: Глазер В., Основы электронной оптики, пер. с нем., M., 1957; Кельман В. M., Явор С. Я., Электронная оптика, 3 изд., Л., 1968. В. M. Кельман, И. В. Родникова.

ЭЛЕКТРОННОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ

ЭЛЕКТРОННОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ - снижение эфф. темп-ры пучка ионов или протонов, циркулирующих в вакуумной камере ускорителя или накопителя, происходящее в результате столкновений с электронами, движущимися вместе с пучком и имеющими меньшую темп-ру. Г. И. Будкер предложил в 1960 использовать Э. о. для уменьшения эмиттанса пучков тяжёлых частиц. Идея метода заключается в следующем. В одном из прямолинейных промежутков вакуумной камеры накопителя, в к-рой циркулирует пучок тяжёлых частиц, напр. протонов, параллельно протонному пучку пропускается интенсивный пучок электронов, имеющих ту же ср. скорость и малый разброс по импульсам (малую темп-ру). На общем участке траектории "горячий" газ протонов обменивается энергией с "холодным" электронным газом в результате кулоновских столкновений и охлаждается. Это ведёт к уменьшению фазового объёма протонного пучка по всем степеням свободы и пучок сжимается. Охлаждение продолжается до тех пор, пока тeмп-ра протонов не станет равна темп-ре электронного пучка. Установившийся угл. разброс qp в протонном пучке оказывается меньше разброса электронов qe в раз: qp=q е. Так как q е может быть ~ 10-3, то угл. разброс для протонов можно понизить до 10-5.

ЭЛЕКТРОННОЕ СРОДСТВО

ЭЛЕКТРОННОЕ СРОДСТВО - см. Сродство к электрону.

ЭЛЕКТРОННО-ИОННАЯ ЭМИССИЯ

Статья большая, находится на отдельной странице.

ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ

ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ - то же, что выбранное взаимодействие.

ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ СПЕКТРЫ

ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ СПЕКТРЫ - молекулярные спектры, возникающие при одноврем. изменении электронной и колебат. энергий молекулы.

ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ПРИБОРЫ

Статья большая, находится на отдельной странице.